一种低热阻高光效LED集成光源

发明专利无效专利

申请号：
CN201210013138.6
IPC分类号：H01L33/48;H01L33/64;H01L33/52;F21V29/00;F21V19/00;F21Y101/02
申请日期：
2012-01-16
申请人：
汪绍芬

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低热阻高光效LED集成光源
申请号	CN201210013138.6	申请日期	2012-01-16
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-07-17	公开/公告号	CN103208576A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;8;;;H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;5;2;;;F;2;1;V;2;9;/;0;0;;;F;2;1;V;1;9;/;0;0;;;F;2;1;Y;1;0;1;/;0;2查看分类表>
申请人	汪绍芬	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	汪绍芬	当前权利人	汪绍芬
发明人	汪绍芬
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种低热阻高光效LED集成光源，它含有一个密封的壳体，其特征在于，所述壳体中间是一个密封空腔，空腔充有荧光粉和硅油混合液，LED芯片浸泡其中，不仅解决了荧光粉因与芯片直接接触因温度过高使光源色温退化失效，也去除了胶体对芯片包裹的散热之阻碍，有效降低了封装热阻；该光源瞬态光效高达120lm\w，瞬态光效与稳态光效之比超过95％，可靠的密闭结构，防水等级可达IP68，不仅减化了灯具的防护设计，也扩大了光源应用范围，大幅降低了系统成本。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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