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一种半导体器件及其制作方法、电子装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711407718.2
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2017-12-22
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件及其制作方法、电子装置
申请号CN201711407718.2申请日期2017-12-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2019-07-02公开/公告号CN109962108A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人刘震宇
代理机构北京市磐华律师事务所代理人暂无
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置,所述方法包括提供半导体衬底,所述半导体衬底的源漏区形成有凹槽;在所述凹槽中形成嵌入式硅锗层;在所述嵌入式硅锗层上形成缓冲层;在所述缓冲层上形成盖帽层。根据本发明提供的半导体器件的制作方法,通过在嵌入式硅锗层和盖帽层之间形成缓冲层,以避免随着温度升高锗原子气化导致嵌入式硅锗层中的锗含量降低,从而保证半导体器件的性能稳定,提高产品良率。

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