半导体存储器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN95106068.6
IPC分类号：--
申请日期：
1995-05-12
申请人：
三星电子株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体存储器件及其制造方法
申请号	CN95106068.6	申请日期	1995-05-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1995-12-20	公开/公告号	CN1113610
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	李柱泳
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王以平

摘要

一种带有形成在单元晶体管上方、下方的电容器的半导体存储器件，它包含形成在第一层面的第一和第二晶体管、与第一晶体管相连且形成在第一层面下方的第一存储电极、以及与第二晶体管相连且形成在第一层面上方的第二存储电极。第一和第二存储电极经由各个源区侧壁上形成的隔层连接到各源区，并在存储电极和晶体管之间形成一个切口，以获得二倍或更大的单元电容量、稳定的单元晶体管特性以及降低了的短沟道效应。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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