生产多晶硅的装置和方法以及多晶硅的锭和片

发明专利有效专利

申请号：
CN201410053620.1
IPC分类号：C30B29/06;C30B11/00;H01L31/00
申请日期：
2007-12-21
申请人：
弗赖贝格化合物原料有限公司

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专利名称	生产多晶硅的装置和方法以及多晶硅的锭和片
申请号	CN201410053620.1	申请日期	2007-12-21
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-05-14	公开/公告号	CN103789830A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;1;/;0;0;;;H;0;1;L;3;1;/;0;0查看分类表>
申请人	弗赖贝格化合物原料有限公司	申请人地址	德国弗赖贝格变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	弗赖贝格化合物原料有限公司	当前权利人	弗赖贝格化合物原料有限公司
发明人	B·温纳特;M·尤里施;S·艾什勒
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	李跃龙

摘要

描述了生产晶体硅，特别是多晶硅的方法和装置，其中形成硅原料的熔体，接着以定向的取向使硅熔体凝固。以这种方式在所述熔体上方提供呈气体、液体或固体形式的相或物质，以致硅熔体中、从而凝固的晶体硅中选自氧、碳和氮的外来原子的浓度是可控的；和/或硅熔体上方气相中气体组分的分压是可调和/或可控的，所述气体组分选自氧气、碳气和氮气以及含有至少一种选自氧、碳和氮的元素的气体物质。根据本发明可有效地抑制和预防影响太阳能电池的电性能的杂质化合物沉淀或夹杂物，特别是碳化硅的形成。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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