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一种可产生单脉冲γ射线的辐射装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110504335.7
  • IPC分类号:G01T7/00;G01T7/12
  • 申请日期:
    2021-05-10
  • 申请人:
    中国辐射防护研究院
著录项信息
专利名称一种可产生单脉冲γ射线的辐射装置
申请号CN202110504335.7申请日期2021-05-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-08-10公开/公告号CN113238279A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01T7/00IPC分类号G;0;1;T;7;/;0;0;;;G;0;1;T;7;/;1;2查看分类表>
申请人中国辐射防护研究院申请人地址
山西省太原市小店区学府街102号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国辐射防护研究院当前权利人中国辐射防护研究院
发明人唐智辉;韦应靖;以恒冠;冯梅;方登富;张庆利;黄亚雯;崔伟;李志刚
代理机构北京天悦专利代理事务所(普通合伙)代理人田明;杨方
摘要
本发明公开了可产生单脉冲γ射线的辐射装置,包括:长方体形的铅屏蔽体,所述铅屏蔽体内设有导管,所述导管内在储源端放置有放射源,在所述导管的另一端放置有减速缓冲体,所述导管在所述储源端与所述气体传动装置连接,所述气体传动装置与所述移动气源连接,所述铅屏蔽体较长的面上设有射线出射口。本发明通过对放射源施加运动特性,构建能够产生脉冲宽度和剂量特性等满足要求的单脉冲γ射线,形成单脉冲γ射线辐射场,以此来校准测量单脉冲γ射线的测量仪器。

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