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一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010631108.6
IPC分类号：C08G73/10;C08G77/455;C08K9/06;C08K7/24;C08J5/18;C08L79/08;C08L83/10
申请日期：
2020-07-03
申请人：
浙江中科玖源新材料有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜及其制备方法
申请号	CN202010631108.6	申请日期	2020-07-03
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-08	公开/公告号	CN111635525A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C08G73/10 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C08 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物 C08G 用碳-碳不饱和键以外的反应得到的高分子化合物（发酵或使用酶的方法合成目标化合物或组合物或从外消旋混合物中分离旋光异构体入C12P）〔2〕 C08G73/00 不包括在C08G 12/00到C08G 71/00组内的，在高分子主链中形成含氮的键合，有或没有氧或碳键合反应得到的高分子化合物〔2〕 C08G73/06 在高分子主链中有含氮杂环的缩聚物；聚酰肼；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺母体〔2〕 C08G73/10 聚酰亚胺；聚酯-酰亚胺；聚酰胺-酰亚胺；聚酰胺酸或类似的聚酰亚胺的母体〔2〕	IPC分类号	C;0;8;G;7;3;/;1;0;;;C;0;8;G;7;7;/;4;5;5;;;C;0;8;K;9;/;0;6;;;C;0;8;K;7;/;2;4;;;C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;L;8;3;/;1;0查看分类表>
申请人	浙江中科玖源新材料有限公司	申请人地址	浙江省金华市兰溪市兰江街道兰溪经济开发区光膜小镇变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江中科玖源新材料有限公司	当前权利人	浙江中科玖源新材料有限公司
发明人	金文斌
代理机构	合肥市长远专利代理事务所（普通合伙）	代理人	刘勇

摘要

本发明公开了一种低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜，其原料包括：二胺单体、二酐单体、八(氨基苯基三氧硅烷)和改性TS‑1分子筛；其中，改性TS‑1分子筛的添加量为各原料总重的1‑2wt％。本发明还公开了上述低介电常数疏水聚酰亚胺薄膜的制备方法。本发明具有较低的介电常数，且具有疏水性能。

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