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使用可流动电介质材料的沟槽隔离的技术

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201480063862.7
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L21/336
  • 申请日期:
    2014-11-19
  • 申请人:
    英特尔公司
著录项信息
专利名称使用可流动电介质材料的沟槽隔离的技术
申请号CN201480063862.7申请日期2014-11-19
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-13公开/公告号CN105765728A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人英特尔公司申请人地址
美国加利福尼亚 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英特尔公司当前权利人英特尔公司
发明人R·雅韦里;J·L·卢斯;S-W·朴;D·G·汉肯
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人陈松涛;王英
摘要
公开了用于使用可流动电介质材料来提供半导电鳍的沟槽隔离的技术。根据一些实施例,例如,可以使用可流动化学气相沉积(FCVD)工艺来将可流动电介质沉积在鳍图案化的半导电衬底上方。根据一些实施例,可流动电介质可以流进邻近鳍之间的沟槽中,在沟槽中可以对可流动电介质进行原位固化,从而在衬底上方形成电介质层。通过固化,如对于给定目标应用或最终用途所期望的,可以将可流动电介质转变为例如氧化物、氮化物、和/或碳化物。在一些实施例中,所得到的电介质层可以是基本上无缺陷的,不呈现出缝隙/空隙或者呈现出降低数量的缝隙/空隙。在固化之后,所得到的电介质层可以经受例如湿化学处理、热处理和/或等离子体处理,以修改其电介质属性、密度和/或蚀刻速率的至少其中之一。

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