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适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200810239689.8
  • IPC分类号:H01G4/12;C04B35/462;C04B35/622;H01G4/30
  • 申请日期:
    2008-12-15
  • 申请人:
    同方股份有限公司;山东同方鲁颖电子有限公司
著录项信息
专利名称适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法
申请号CN200810239689.8申请日期2008-12-15
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2010-06-23公开/公告号CN101747034A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01G4/12IPC分类号H;0;1;G;4;/;1;2;;;C;0;4;B;3;5;/;4;6;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;H;0;1;G;4;/;3;0查看分类表>
申请人同方股份有限公司;山东同方鲁颖电子有限公司申请人地址
山东省临沂市沂南县金波路21号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人山东同方鲁颖电子有限公司当前权利人山东同方鲁颖电子有限公司
发明人吉岸;袁纪烈;陈月光;王士娇;张力
代理机构暂无代理人暂无
摘要
适用于低温烧结多层陶瓷电容器的陶瓷材料及其制备方法,涉及功能陶瓷材料技术领域。本发明的主料是由aBaO-bLn2O3-cBi2O3-dTiO2表示的组合物,a、b、c和d满足:a+b+c+d=1,0.13≤a≤0.17,0.12≤b≤0.22,0.01≤c≤0.1,0.4≤d≤0.74。本发明的辅料是由eBi2O3-fB2O3-gZnO-hSiO2玻璃一和jBaO-kLi2O-lCaO-mSrO-nSiO2玻璃二组成的混合物,e、f、g和h满足:e+f+g+h=100,50≤e≤90,5≤f≤30,4≤g≤30,1≤h≤20;j、k、l、m和n满足:j+k+l+m+n=100,20≤j≤25,5≤k≤10,5≤l≤10,0≤m≤10,50≤n≤70。本发明不仅可以在低温烧结的条件下保持很高的介电常数,并且NPO特性好。

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