一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110075911.7
IPC分类号：G01N15/08;G03F7/16
申请日期：
2011-03-28
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法
申请号	CN201110075911.7	申请日期	2011-03-28
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102706785A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N15/08 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N15/00 测试颗粒的特性；测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或者孔隙表面积（微生物的识别入C12Q）〔1，4，2006.01〕 G01N15/08 测试多孔材料的渗透性，孔隙体积或孔隙表面积	IPC分类号	G;0;1;N;1;5;/;0;8;;;G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	胡华勇;顾一鸣
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	骆苏华

摘要

本发明提供了一种测试光刻胶层对离子注入阻挡能力的方法，包括如下步骤：提供一测试晶圆；对测试晶圆进行预烘焙处理；在测试晶圆上形成光刻胶层，所述光刻胶层的厚度从边缘至中心呈梯度变化；测量测试晶圆上不同位置光刻胶层的厚度；将预定能量的离子注入光刻胶层上；去除所述光刻胶层；对测试晶圆不同位置上的离子量进行测试；将不同位置的离子量与目标离子量进行比较，确定合适厚度的光刻胶层。本发明的方法大大降低了测试成本，而且涂布光刻胶层的厚度是连续变化的，可以选取更多的光刻胶厚度点进行测试，以找到最为合适的能够对离子注入具有阻挡能力的光刻胶层厚度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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