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薄膜晶体管及制造方法以及包括其的有机发光显示设备

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200710307439.9
  • IPC分类号:H01L29/786;H01L21/336
  • 申请日期:
    2007-12-27
  • 申请人:
    三星SDI株式会社
著录项信息
专利名称薄膜晶体管及制造方法以及包括其的有机发光显示设备
申请号CN200710307439.9申请日期2007-12-27
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2008-08-27公开/公告号CN101252150
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/786
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人三星SDI株式会社申请人地址
韩国京畿道龙仁市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三星显示有限公司当前权利人三星显示有限公司
发明人徐晋旭;朴炳建;梁泰勋;李基龙
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司代理人韩明星
摘要
一种薄膜晶体管,包括:衬底;设置在衬底上的半导体层,包括源极区域、漏极区域和沟道区域,并且由多晶硅层构成;设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极;设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层;以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极,其中,多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。

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