发光二极管的覆晶晶片结构

实用新型专利无效专利

申请号：
CN03257477.0
IPC分类号：--
申请日期：
2003-05-13
申请人：
光鼎电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	发光二极管的覆晶晶片结构
申请号	CN03257477.0	申请日期	2003-05-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	光鼎电子股份有限公司	申请人地址	台湾省台北县中和市建一路93巷1号4楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	光鼎电子股份有限公司	当前权利人	光鼎电子股份有限公司
发明人	林明德;林明耀
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	文琦;陈肖梅

摘要

本实用新型是一种发光二极管的覆晶晶片结构，其包括有：一硅基板(Silicon)及晶片所组成；该硅基板的一面等距离设置有导电部，且所述导电部间形成有一断路区，而该晶片的同一面上分别具有一正、负电极，且该晶片以覆晶(Flip Chip)的方式将该正、负电极对应设置于基板的导电部上而形成一导通状态，并使晶片将导电部的二端被定义为正、负电极，而该未与晶片连接的导电部可供连接外部电源；藉此，可使单一发光二极管形成单色与多色的光源，且使其具有高电压低电流的特性，并具有将晶片所发出的热量有效的导出。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN103162127A	2012-03-09	2012-03-09	发光二极管封装结构无效专利	新世纪光电股份有限公司
2	CN100563002C	2006-05-15	2006-05-15	发光二极管芯片的封装结构及其方法失效专利	宏齐科技股份有限公司

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