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一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201510437074.6
IPC分类号：H01L31/109;H01L31/0296;H01L31/18
申请日期：
2015-07-23
申请人：
武汉大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法
申请号	CN201510437074.6	申请日期	2015-07-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-11-25	公开/公告号	CN105097983A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/109 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/109 为PN异质结型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;9;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	武汉大学	申请人地址	湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉大学	当前权利人	武汉大学
发明人	方国家;宋增才;李博睿
代理机构	武汉科皓知识产权代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	汪俊锋

摘要

本发明属于光电子领域，涉及一种异质结近红外光敏传感器及其制备方法。是由热蒸发气相沉积法制备的碲锌氧复合物与p‑Si形成的异质结光敏传感器，包括p型硅衬底，碲锌氧复合物，顶电极和底电极。其关键在于碲锌氧复合物的制备。这种新型的传感器表现出了波段可调的稳定优良的光敏探测性能，可探测波长从紫外‑可见‑近红外波段调节至限定在1040nm的近红外波段。

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