切割装置及晶粒切割系统

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201822269306.3
IPC分类号：H01L21/304;H01L21/78
申请日期：
2018-12-29
申请人：
常州银河电器有限公司

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著录项信息

专利名称	切割装置及晶粒切割系统
申请号	CN201822269306.3	申请日期	2018-12-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;7;8查看分类表>
申请人	常州银河电器有限公司	申请人地址	江苏省常州市新北区高新技术产业开发区河海西路168号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	常州银河电器有限公司	当前权利人	常州银河电器有限公司
发明人	高宝华
代理机构	北京超凡志成知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	吴迪

摘要

本实用新型提供一种切割装置及晶粒切割系统，涉及晶粒切割技术领域。该切割装置包括：底座、操作台、第一调节杆、第二调节杆及切割机构；操作台设于底座上，操作台上设有容置槽，第一调节杆、第二调节杆分别与操作台连接，第一调节杆的第一调节方向与第二调节杆的第二调节方向垂直，第一调节杆和第二调节杆均设有千分尺，切割机构设于操作台上，通过将待切割对象放置于容置槽中，第一调节杆、第二调节杆可以调节得到切割起点位置，进而切割机构紧贴待切割对象的切割起点位置，根据第一调节杆和/或第二调节杆调节待切割对象朝切割终点位置移动，实现切割机构在待切割对象表面产生切割轨迹，实现准确的切割，具有切割精度高的特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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