高强度DFN封装半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202011403577.9
IPC分类号：H01L23/367;H01L23/29
申请日期：
2019-02-22
申请人：
西安航思半导体有限公司

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专利名称	高强度DFN封装半导体器件
申请号	CN202011403577.9	申请日期	2019-02-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-03-02	公开/公告号	CN112435974A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/367 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/367 为便于冷却的器件造型〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;2;9查看分类表>
申请人	西安航思半导体有限公司	申请人地址	陕西省西安市鄠邑区吕公路东段西户科技企业孵化器C3号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安航思半导体有限公司	当前权利人	西安航思半导体有限公司
发明人	马磊;党鹏;杨光;彭小虎;王新刚;庞朋涛;任斌;王妙妙
代理机构	苏州创元专利商标事务所有限公司	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种高强度DFN封装半导体器件，包括位于环氧绝缘体中的散热焊盘、芯片和导电焊盘，所述芯片位于散热焊盘上，位于散热焊盘周边设有若干个导电焊盘，所述导电焊盘和芯片通过一引线连接；所述环氧绝缘体的原料包括以下重量份组分环氧树脂80份、线型酚醛树脂55份、液体丁腈橡胶16份、焦碳酸二乙酯8份、硅微粉80份、聚乙二醇单辛基苯基醚 0.1份、3‑氨基丙基三乙氧基硅烷2份、醋酸丁酸纤维素5份、5‑氟‑2‑甲氧基苯胺2份、2,4,6‑三(二甲氨基甲基)苯酚5份、脱模剂3份、阻燃剂10份。本发明高强度DFN封装半导体器件散热效果、力学性能优异，增强了环氧绝缘体的整体力学性能，有效保证了封装结构稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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