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半导体装置结构

发明专利有效专利

申请号：
CN201810409593.5
IPC分类号：H01L23/64;H01L23/498
申请日期：
2018-04-26
申请人：
台湾积体电路制造股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体装置结构
申请号	CN201810409593.5	申请日期	2018-04-26
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2019-05-17	公开/公告号	CN109768030A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/58 其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置〔5〕 H01L23/64 阻抗装置〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;6;4;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;8查看分类表>
申请人	台湾积体电路制造股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾积体电路制造股份有限公司	当前权利人	台湾积体电路制造股份有限公司
发明人	黄文社;薛琇文;陈郁翔;陈启平
代理机构	隆天知识产权代理有限公司	代理人	冯志云;张福根

摘要

提供半导体装置的结构和形成方法。半导体装置结构包含半导体基底和在半导体基底上的第一介电层。半导体装置结构也包含在第一介电层中的导电部件和在第一介电层上的第二介电层。半导体装置结构还包含电性连接至导电部件的电阻元件。电阻元件的第一部分在第二介电层上，且电阻元件的第二部分往导电部件延伸。

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