一种低相噪低功耗宽带压控振荡器电路

发明专利无效专利

申请号：
CN201210107504.4
IPC分类号：H03K3/012;H03K3/013
申请日期：
2012-04-12
申请人：
杭州电子科技大学

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种低相噪低功耗宽带压控振荡器电路
申请号	CN201210107504.4	申请日期	2012-04-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2015-07-01	公开/公告号	CN104753498A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H03K3/012 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H03 基本电子电路 H03K 脉冲技术（脉冲特性测量入G01R；用脉冲调制正弦波振荡的入H03C；数字信息的传输入H04L；利用对振荡周期进行计数或积分来检定两个信号相位差的鉴别器电路入H03D 3/04；与发生器类型无关的或者并非特指的电子振荡发生器或脉冲发生器的自动控制、起振、同步或稳定入H03L；编码、一般译码或代码转换入H03M）〔4〕 H03K3/00 用于产生电脉冲的电路；单稳态，双稳态或多稳态电路（H03K 4/00优先；用于计算机的数字函数发生器入G06F 1/02）〔5〕 H03K3/01 零部件〔3〕 H03K3/012 为改善响应时间或减少功率损耗而对发生器的改进〔6〕	IPC分类号	H;0;3;K;3;/;0;1;2;;;H;0;3;K;3;/;0;1;3查看分类表>
申请人	杭州电子科技大学	申请人地址	浙江省杭州市下沙高教园区2号大街变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杭州电子科技大学	当前权利人	杭州电子科技大学
发明人	周明珠;孙玲玲
代理机构	杭州君度专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	杜军

摘要

本发明涉及一种低相噪低功耗宽带压控振荡器电路。现有宽带压控振荡器噪声性能较差，功耗较高，限制了其在射频通信系统中的应用。本发明包括一个负阻振荡结构和两个缓冲结构，负阻振荡结构包括负阻结构和谐振网络，负阻结构由两个PMOS管和两个NMOS管构成，谐振网络由谐振电感、开关电容阵列、两个可变电容和两个固定电容构成。开关电容阵列包括十五个开关电容单元，形成四个控制选择端，实现十六个频带选择。每个开关电容单元包括两个MOM电容、两个反相器和一个NMOS管，MOM电容采用三维叉指电容。本发明的振荡器电路实现了较宽的频率调节范围，通过相应的相位噪声优化，实现了低相位噪声和低功耗的性能。

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