一种正置底发射QLED器件及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201611256947.4
IPC分类号：H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56;B82Y30/00
申请日期：
2016-12-30
申请人：
TCL集团股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种正置底发射QLED器件及其制备方法
申请号	CN201611256947.4	申请日期	2016-12-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-07-10	公开/公告号	CN108269928A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/50 专门适用于光发射的，如有机发光二极管（OLED）或聚合物发光器件（PLED）（有机半导体激光器入 H01S 5/36）〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;5;0;;;H;0;1;L;5;1;/;5;4;;;H;0;1;L;5;1;/;5;6;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人	TCL集团股份有限公司	申请人地址	广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	TCL集团股份有限公司	当前权利人	TCL集团股份有限公司
发明人	曹蔚然;杨一行;刘政;钱磊
代理机构	深圳市君胜知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	王永文;刘文求

摘要

本发明公开了一种正置底发射QLED器件及其制备方法，其中，所述正置底发射QLED器件包括依次叠层设置的衬底、透明阳极、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及反射阴极，所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成，所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构，可实现具有高效电荷注入、高发光亮度、低驱动电源以及高器件效率等优异性能的高效QLED器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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