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一种聚噻吩复合材料及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210431514.3
  • IPC分类号:C08J7/16;C08J7/14;C08L67/02;C08L79/08;C08L25/06;C08G61/12
  • 申请日期:
    2012-11-01
  • 申请人:
    喻小琦
著录项信息
专利名称一种聚噻吩复合材料及其制备方法
申请号CN201210431514.3申请日期2012-11-01
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-02-06公开/公告号CN102911389A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08J7/16IPC分类号C;0;8;J;7;/;1;6;;;C;0;8;J;7;/;1;4;;;C;0;8;L;6;7;/;0;2;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;L;2;5;/;0;6;;;C;0;8;G;6;1;/;1;2查看分类表>
申请人喻小琦申请人地址
广东省广州市海珠区金菊璐云顶街19号3004 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人喻小琦当前权利人喻小琦
发明人陈鸣才;许凯;喻小琦
代理机构北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人唐曙晖;刘明芳
摘要
本发明涉及一种聚噻吩复合材料,它包括磺化处理的绝缘聚合物膜和在磺化处理的聚合物膜的一个或两个面上层叠的聚噻吩膜,该聚噻吩复合材料是由噻吩和/或噻吩衍生物在磺化处理的绝缘聚合物膜的一个或两个面上聚合所得到的。聚合单体优选噻吩和3-甲基噻吩;绝缘聚合物膜优选聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基双马来酰亚胺或聚苯乙烯。此外,本发明还提供一种高导电率的聚噻吩复合材料的制备方法,通过聚噻吩与基体的复合,使得该复合材料不仅具有优良的导电性同时还具有通用高分子的柔韧性。该复合材料的导电率可达10-3S/cm量级,其可以应用于电磁波屏蔽、防静电和有机电子器件等领域。

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