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SRAM单元的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510215852.7
  • IPC分类号:H01L21/8244;H01L27/11
  • 申请日期:
    2015-04-29
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称SRAM单元的形成方法
申请号CN201510215852.7申请日期2015-04-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-12-07公开/公告号CN106206443A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/8244
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;8;2;4;4;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人张弓
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人万铁占;吴敏
摘要
一种SRAM单元的形成方法,该SRAM单元的形成方法包括:在第一区域形成第一、二、三鳍部,第二、三鳍部在第一鳍部长度方向上并列排布;在第二区域形成第四、五、六鳍部,第五、六鳍部在第四鳍部的长度方向上并列排布;第一、四鳍部的长度方向为晶向族<110>,第二、三、五、六鳍部的长度方向为晶向族<100>;形成横跨第一鳍部的第一栅极、横跨第二、三鳍部的第二栅极、横跨第四鳍部的第三栅极、横跨第五、六鳍部的第四栅极。本案中第一、四鳍部垂直于第二、三、五、六鳍部,栅极的形成工艺,例如图形化过程是比较容易实现的,形成的所有栅极宽度符合预期。例如在光刻过程,光刻设备对转动90度后的栅极图形的解析度和分辨率高。

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