一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201710772913.9
IPC分类号：C30B29/06;C30B15/22
申请日期：
2017-08-31
申请人：
西安理工大学

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专利名称	一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法
申请号	CN201710772913.9	申请日期	2017-08-31
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2018-04-03	公开/公告号	CN107868979A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/06 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/02 元素〔3〕 C30B29/06 硅〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;0;6;;;C;3;0;B;1;5;/;2;2查看分类表>
申请人	西安理工大学	申请人地址	陕西省西安市高新区西沣南路1888号1-3-029室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安奕斯伟材料科技有限公司,西安奕斯伟设备技术有限公司	当前权利人	西安奕斯伟材料科技有限公司,西安奕斯伟设备技术有限公司
发明人	刘丁;段伟锋;张新雨
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	韩玙

摘要

本发明的目的是提供一种基于恒拉速控制结构的硅单晶直径控制方法，首先依据常规硅单晶控制结构中热场温度和晶体直径数据，辨识热场温度‑晶体直径过程的非线性大滞后预测模型，其中预测模型中的时滞参数，输入输出阶次及模型参数分别通过输出相关性时滞确定算法、利普希茨商及训练栈式稀疏自动编码器获得，然后将栈式稀疏自动编码器作为预测模型引入到非线性广义预测控制算法中，通过预测控制算法中的预测模型，反馈校正，滚动优化等策略实现晶体直径控制，解决了现有硅单晶直径控制过程因晶体提拉速度的剧烈波动而出现的控制效果变差，甚至导致控制失效的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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