利用受控电子束辐射将低－K聚合物并入层间电介质

发明专利无效专利

申请号：
CN98805439.6
IPC分类号：--
申请日期：
1998-03-09
申请人：
联合讯号公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	利用受控电子束辐射将低－K聚合物并入层间电介质
申请号	CN98805439.6	申请日期	1998-03-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2000-06-21	公开/公告号	CN1257610
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	联合讯号公司	申请人地址	美国新泽西州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联合讯号公司	当前权利人	联合讯号公司
发明人	J·J·杨;L·弗雷斯特;D·K·蔡;S·Q·王;N·H·亨德里克
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	刘元金;周慧敏

摘要

一种制备应用于制造集成电路的基片的方法，其中，将旋涂低介电常数(低-k)聚合物薄膜施涂到半导体基片上。利用电子束辐射，完成了旋涂低-K聚合物薄膜的非深腐蚀过程，薄膜，特别是位于金属导线之间的薄膜没有失去低介电常数特性。将聚合物介电薄膜(7，8)施涂到基片上，并干燥之，再在足以使介电层部分固化的条件下将其在电子束辐射下曝光。曝光使介电层顶部(8)形成较高硬化，使介电层下部(7)形成较低硬化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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