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一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210575355.4
  • IPC分类号:H01L27/22H01L43/10H01L43/06H01L23/538H01L43/14
  • 申请日期:
    2012-12-26
  • 申请人:
    北京大学
著录项信息
专利名称一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法
申请号CN201210575355.4申请日期2012-12-26
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-04-24公开/公告号CN103066098A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/22IPC分类号H01L27/22;H01L43/10;H01L43/06;H01L23/538;H01L43/14查看分类表>
申请人北京大学申请人地址
北京市海淀区颐和园路5号北*** 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人北京大学当前权利人北京大学
发明人徐慧龙;张志勇;彭练矛;王胜
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)代理人余长江
摘要
本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件,芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极,芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层,互连电极、压焊电极与芯片分别通过钝化层下的金属线电连接;芯片的核心电路区上方的钝化层上依次为有机分子层、石墨烯霍尔元件;石墨烯霍尔元件的电极分别通过金属互连线与互连电极连接。通过对霍尔集成电路表面覆盖一钝化层进行封装,只露出压焊电极,以便实际使用中方便和外电路连接。本发明的霍尔集成电路完全利用微加工手段制备,所需芯片面积小、制备效率高、成本低。

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