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半导体结构的形成方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610006641.7
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2016-01-06
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构的形成方法
申请号CN201610006641.7申请日期2016-01-06
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2017-07-14公开/公告号CN106952814A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人禹国宾;徐小平
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人高静;吴敏
摘要
本发明提供一种半导体结构的形成方法,包括:形成基底,所述基底包括:衬底、位于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的掩膜层;在鳍部之间的所述衬底上形成隔离材料层;通过至少一次的氧化步骤,在所述鳍部中形成至少一层氧化层,所述氧化步骤包括:去除部分厚度的隔离材料层,使所述隔离材料层露出鳍部的部分侧壁;在隔离材料层露出的鳍部侧壁上形成屏蔽层;去除屏蔽层下方部分厚度的隔离材料层,露出部分鳍部侧壁;通过氧化处理,在隔离材料层和屏蔽层露出的鳍部中形成氧化层;去除所述掩膜层和氧化步骤中所使用的屏蔽层。其中,所述氧化层能够实现鳍部与衬底之间的隔离,在鳍部形成晶体管后,所述氧化层能够减少晶体管漏电流。

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