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成膜方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200480027351.6
  • IPC分类号:H01L21/316;H01L21/318
  • 申请日期:
    2004-12-16
  • 申请人:
    东京毅力科创株式会社
著录项信息
专利名称成膜方法
申请号CN200480027351.6申请日期2004-12-16
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2006-11-01公开/公告号CN1856869
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/316
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;8查看分类表>
申请人东京毅力科创株式会社申请人地址
日本东京 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人东京毅力科创株式会社当前权利人东京毅力科创株式会社
发明人青山真太郎;井下田真信;山崎和良
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳;邸万杰
摘要
本发明提供一种在处理容器内、在规定的处理温度下、在被处理基板表面形成氧化膜的成膜方法,其包括将上述基板升温至上述规定的处理温度的升温工序,上述升温工序包括在上述基板的温度达到450℃的温度之前、将上述基板保持在含氧的气氛中的工序。

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