锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201110006703.1
IPC分类号：H01L29/73;H01L29/417;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331
申请日期：
2011-01-13
申请人：
上海华虹NEC电子有限公司

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著录项信息

专利名称	锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件及制造方法
申请号	CN201110006703.1	申请日期	2011-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-04-11	公开/公告号	CN102412274A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/73 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/66 按半导体器件的类型区分的〔2〕 H01L29/68 只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L 29/96优先）〔2〕 H01L29/70 双极器件〔2〕 H01L29/72 晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的〔2〕 H01L29/73 双极结型晶体管〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;7;3;;;H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1查看分类表>
申请人	上海华虹NEC电子有限公司	申请人地址	变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司	当前权利人	上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人	陈帆;陈雄斌
代理机构	上海浦一知识产权代理有限公司	代理人	丁纪铁

摘要

本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及P型赝埋层、N型多晶硅。赝埋层形成于集电区周围的浅槽场氧底部并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部形成的深孔接触引出集电极。N型多晶硅形成于基区上部并用来引出基极。发射区由形成于基区上P型锗硅外延层和P型多晶硅组成。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择。本发明能有效缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的频率性能。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。

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