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薄膜光电晶体管,应用该光电晶体管的有源矩阵衬底以及应用该衬底的图象扫描装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03814348.8
  • IPC分类号:H01L27/14;H01L31/10;H01L29/786
  • 申请日期:
    2003-07-03
  • 申请人:
    夏普株式会社
著录项信息
专利名称薄膜光电晶体管,应用该光电晶体管的有源矩阵衬底以及应用该衬底的图象扫描装置
申请号CN03814348.8申请日期2003-07-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-08-31公开/公告号CN1663047
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/14IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;0;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人夏普株式会社申请人地址
日本大阪府 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人夏普株式会社当前权利人夏普株式会社
发明人和泉良弘
代理机构上海专利商标事务所有限公司代理人张鑫
摘要
栅绝缘薄膜(14)和半导体层(15)层叠在栅极(13)上;源电极(17)和漏电极(18)形成在半导体层(15)上,源电极(17)和漏电极(18)的端部之间有预先确定的间隙。每个源电极(17)和漏电极(18)都包括一个重叠区域(17a和18a),该重叠区域(17a和18a)的至少一部分具有半透明性。该设置实现了光灵敏度(Ip/Id)的提高,同时不使引线布局或制造工艺复杂化。

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