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半导体结构形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201810015729.4
  • IPC分类号:H01L21/306;H01L21/3105
  • 申请日期:
    2018-01-08
  • 申请人:
    德淮半导体有限公司
著录项信息
专利名称半导体结构形成方法
申请号CN201810015729.4申请日期2018-01-08
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2018-07-13公开/公告号CN108281355A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/306
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;0;5查看分类表>
申请人德淮半导体有限公司申请人地址
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人德淮半导体有限公司当前权利人德淮半导体有限公司
发明人林宗德;彭琬婷;黄仁德
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人高磊;吴敏
摘要
一种半导体结构形成方法,包括:提供介质层;在所述介质层顶部形成牺牲层,所述牺牲层的硬度小于所述介质层的硬度;形成贯穿所述介质层厚度及牺牲层厚度的通孔;形成填充满所述通孔的金属层,所述金属层顶部高于所述介质层顶部;采用化学机械研磨工艺,去除高于所述介质层顶部的所述金属层,并去除位于所述介质层顶部的所述牺牲层。本发明能够防止化学机械研磨工艺研磨金属层造成金属层顶部出现凹陷,从而改善半导体结构的性能。

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