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基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201810924656.0
IPC分类号：H01L31/109;H01L31/0336;H01L31/18
申请日期：
2018-08-14
申请人：
上海新微技术研发中心有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	基于III-V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法
申请号	CN201810924656.0	申请日期	2018-08-14
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2020-02-21	公开/公告号	CN110828603A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/109 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕 H01L31/109 为PN异质结型势垒的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;9;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	上海新微技术研发中心有限公司	申请人地址	上海市嘉定区城北路235号3号楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海新微技术研发中心有限公司	当前权利人	上海新微技术研发中心有限公司
发明人	汪巍;方青;涂芝娟;曾友宏;蔡艳;王庆;王书晓;余明斌
代理机构	上海盈盛知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	孙佳胤;陈丽丽

摘要

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管及其制造方法。所述基于III‑V族材料发射极区的GeSn光电晶体管，包括衬底以及沿垂直于所述衬底的方向依次层叠于所述衬底表面的集电极区、吸收层、基极区和发射极区；所述吸收层与所述基极区采用Ge1‑xSnx材料构成，其中，0

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