基于光生载流子效应的拉曼光谱表征4H-SiC电学性质方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010848838.1
IPC分类号：--
申请日期：
2020-08-21
申请人：
天津大学

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专利名称	基于光生载流子效应的拉曼光谱表征4H-SiC电学性质方法
申请号	CN202010848838.1	申请日期	2020-08-21
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-03	公开/公告号	CN111880072A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	天津大学	申请人地址	天津市南开区卫津路92号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	天津大学	当前权利人	天津大学
发明人	徐宗伟;刘涛;宋莹;王虹
代理机构	天津市北洋有限责任专利代理事务所	代理人	程毓英

摘要

本发明涉及一种基于光生载流子效应的拉曼光谱表征4H‑SiC电学性质方法，步骤如下：选用紫外激光进行激发，保证在被测4H‑SiC样品中能够激发出光生载流子；选择适配于紫外激光光路的物镜，光栅刻线密度，并设置光谱仪积分时间和累积次数的数值；设置能完全覆盖4H‑SiC一阶拉曼峰的光谱扫描范围；通过调节光路中的衰减片来改变到达被测4H‑SiC表面的激光功率强度，分别选取不同激光功率对4H‑SiC样品进行拉曼光谱测试，得到不同激光功率激光激发条件下LOPC模对应的拉曼光谱实验数据；进行数学拟合；通过载流子浓度与激光功率之间的线性关系式计算得到被测4H‑SiC无光生载流子产生时的本征载流子浓度数值。

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