二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110350953.0
IPC分类号：H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46;C30B7/08;C30B7/14;C30B29/54;C09K11/06;C09K11/66
申请日期：
2021-03-31
申请人：
西北大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法
申请号	CN202110350953.0	申请日期	2021-03-31
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299837A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕 H01L51/48 专门适用于制造或处理这种器件或其部件的方法或设备〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;8;;;H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;C;3;0;B;7;/;0;8;;;C;3;0;B;7;/;1;4;;;C;3;0;B;2;9;/;5;4;;;C;0;9;K;1;1;/;0;6;;;C;0;9;K;1;1;/;6;6查看分类表>
申请人	西北大学	申请人地址	陕西省西安市长安区郭杜教育科技产业区学府大道1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西北大学	当前权利人	西北大学
发明人	冯宏剑;钱崇鑫;王明梓;芦珊珊
代理机构	西安弘理专利事务所	代理人	宁文涛

摘要

本发明公开了二维钙钛矿单晶及其基于离子注入的探测器的制备方法，通过对二维钙钛矿前驱体溶液密封保温加热的方式，得到前驱体的完全饱和溶液，将转移置于恒温炉的完全饱和溶液保温后再加热，是保证晶体生长初始温度低于前驱体溶液的温度，并能够使单晶保持持续稳定的速率析出。较低的降温速率能保证晶体的成型质量，并得到尺寸较大的晶体。通过对该晶体的高能离子注入得到稳定性高，优异光探测率、载流子迁移寿命积较大，响应度高的钙钛矿探测器，平面型的叉指金电极使得X射线探测的结构简单，制备工艺流程短，成本低；基于离子注入的掺杂技术，增加钙钛矿单晶本征载流子浓度，实现更深处电子空穴直接快速导出。

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