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形成介电材料层的方法、结构和装置及形成层的系统

发明专利有效专利

申请号：
CN202110176867.2
IPC分类号：H01L21/02;H01L21/762;H01L23/532;H01L27/088;H01L29/78
申请日期：
2021-02-07
申请人：
ASMIP私人控股有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	形成介电材料层的方法、结构和装置及形成层的系统
申请号	CN202110176867.2	申请日期	2021-02-07
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-17	公开/公告号	CN113270310A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;7;6;2;;;H;0;1;L;2;3;/;5;3;2;;;H;0;1;L;2;7;/;0;8;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	ASMIP私人控股有限公司	申请人地址	荷兰阿尔梅勒变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	ASMIP私人控股有限公司	当前权利人	ASMIP私人控股有限公司
发明人	菊地良幸;石野八纪彦
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	焦玉恒

摘要

公开了用于在衬底表面上形成包括介电材料层的结构的方法和系统，以及使用所述方法或系统形成的结构和装置。示范性方法包括在反应器系统的反应室内提供衬底，向所述反应室提供一种或多种前体，以及提供脉冲等离子体功率以聚合所述反应室内的所述一种或多种前体。

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