一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201010536509.X
IPC分类号：C09K5/14;H01F1/053
申请日期：
2010-11-09
申请人：
中国计量学院

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专利名称	一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法
申请号	CN201010536509.X	申请日期	2010-11-09
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-05-23	公开/公告号	CN102464972A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C09K5/14 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C09 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 C09K 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 C09K5/00 传热、热交换或储热的材料，如制冷剂；用于除燃烧外的化学反应方式制热或制冷的材料〔2〕 C09K5/08 在使用时未发生物理状态变化的材料（C09K 5/16、C09K 5/20优先）〔7〕 C09K5/14 固体材料，如粉末或颗粒〔7〕	IPC分类号	C;0;9;K;5;/;1;4;;;H;0;1;F;1;/;0;5;3查看分类表>
申请人	中国计量学院	申请人地址	浙江省杭州市下沙学源街258号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国计量学院	当前权利人	中国计量学院
发明人	张朋越;葛洪良;彭晓领;洪波;杨杭福;刘婷婷
代理机构	北京怡丰知识产权代理有限公司	代理人	迟军

摘要

本发明公开了一种具有高磁熵变的磁制冷材料化合物及其制备方法。本发明的磁制冷材料化合物的化学组成式为(La0.7Ca0.2Tm0.1)Mn1-xMxO3，所述化合物以锰钙钛矿LaMnO3结构体系为基质，Ca和Tm为基质组元离子，M为点缺陷控制的辅助掺杂离子，其中0＜x≤0.1，并且所述化合物在5T磁场下的最大磁熵变大于等于5.0J/kg.K。本发明采用不同价态离子掺杂和气氛处理来调控点缺陷，通过控制晶体结构中电子输运和离子间自旋电子耦合效应来提高其磁滞冷性能，获得了高居里转变点和良好材料使用性能，使化合物的磁商变值提高约一个数量级，并且具有材料稳定性高、无毒副作用、操作工艺简单、成本低等特点。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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