平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110448665.9
IPC分类号：H01L29/423;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
申请日期：
2021-04-25
申请人：
深圳深爱半导体股份有限公司

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专利名称	平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法
申请号	CN202110448665.9	申请日期	2021-04-25
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113363315A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/423 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/423 不通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;2;3;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人	深圳深爱半导体股份有限公司	申请人地址	广东省深圳市龙岗区宝龙工业城宝龙七路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳深爱半导体股份有限公司	当前权利人	深圳深爱半导体股份有限公司
发明人	张曌;李杰;刘玮
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	黄恕

摘要

本申请涉及一种平面T型栅晶体管原胞结构及制作方法，该方法包括：在导电外延片上形成氧化层，在氧化层制作硅槽再生成电位平衡虚拟栅氧化层。淀积掺杂多晶，掩备多晶并刻蚀未被掩备的多晶，腐蚀氧化层再次热生长栅氧化层，回填淀积掺杂多晶，掩备预留的平面多晶硅栅，刻蚀多余多晶预留预设宽度的平面栅，掺杂注入形成原胞上的P阱结构扩散形成P阱。在P阱形成电流区结构并注入掺杂硼离子形成硼晕环，淀积掺杂氧化层，开出G极接触孔、S极接触孔、电位平衡虚拟栅接触孔的金属接触区。刻蚀S极接触孔形成浅硅槽，使浅硅槽穿过电流区结构延伸至P阱，并注入形成S极P阱接触区的欧姆接触后进行孔退火，并淀积金属光刻、刻蚀形成S极的引线接触区。

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