分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架

发明专利有效专利

申请号：
CN202011589006.9
IPC分类号：C30B25/12;C30B29/40
申请日期：
2020-12-29
申请人：
苏州焜原光电有限公司

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引证文献

著录项信息

专利名称	分子束外延系统中固定GaSb衬底的方法及样品架
申请号	CN202011589006.9	申请日期	2020-12-29
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-02	公开/公告号	CN112593285A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/12 衬底夹持器或基座〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;3;0;B;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人	苏州焜原光电有限公司	申请人地址	江苏省苏州市吴江区黎里镇汾湖大道558号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州焜原光电有限公司	当前权利人	苏州焜原光电有限公司
发明人	陈意桥;王伟强;周浩
代理机构	北京中济纬天专利代理有限公司	代理人	于宏伟

摘要

本发明是针对现有技术中固定GaSb衬底的方法存在的易使衬底软化、衬底的温度均匀性不易保证的不足，提供分子束外延系统中GaSb衬底的安装固定方法及所用的样品架，样品架包括筒体、钽片和压紧固定装置，筒体和压紧固定装置均为在超高真空下不挥发，不放出气体的材质，在筒体内表面设置有支撑结构，钽片设置在支撑结构上，压紧固定装置位于钽片上方将钽片固定在筒体内，采用本发明方法固定GaSb衬底，先将Ga液涂在中间材料上，再通过中间材料将Ga液均匀涂在钽片上，巧妙地解决了Ga液浸润性较差、不易均匀的涂抹在钽片与GaSb衬底之间的难题，将GaSb衬底均匀、稳固的粘在了钽片上，最终解决了GaSb衬底温度均匀性问题，为实现高质量Sb化物材料的生长提供了基础。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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