一种基于石墨烯的场效应晶体管生物传感器及其制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201610529052.7
IPC分类号：G01N27/414
申请日期：
2016-07-06
申请人：
无锡盈芯半导体科技有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种基于石墨烯的场效应晶体管生物传感器及其制备方法
申请号	CN201610529052.7	申请日期	2016-07-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-12-14	公开/公告号	CN106226377A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/414 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/403 电池和电极组件〔5〕 G01N27/414 对离子敏感的场效应晶体管或化学场效应晶体管，即ISFETS或CHEMFETS〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;4;1;4查看分类表>
申请人	无锡盈芯半导体科技有限公司	申请人地址	江苏省无锡市惠山经济开发区堰新路311号1号楼0209、0211室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	无锡盈芯半导体科技有限公司	当前权利人	无锡盈芯半导体科技有限公司
发明人	林本慧
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于石墨烯的场效应晶体管生物传感器，所述生物传感器包括衬底，衬底上设有沟道层，所述沟道层上设有功能化石墨烯层，所述功能化石墨烯层的两端设有源电极和漏电极，所述功能化石墨烯层中间部分表面固定连接生物识别分子，其制备方法包括如下：(1)以金属箔为基底，生长石墨烯薄膜，将石墨烯薄膜转移至衬底上，作为沟道层；(2)再在沟道层上形成一层石墨烯层，通过脉冲等离子法形成活性基团功能化石墨烯层；(3)通过光刻和蒸镀工艺，在功能化石墨烯层的两端形成源电极和漏电极；在功能化石墨烯层中间部分的表面固定连接生物识别分子，得到基于石墨烯的场效应晶体管生物传感器。所述生物传感器具有高检测灵敏度和检测速度。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供