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横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件

发明专利有效专利

申请号：
CN202110469366.3
IPC分类号：H01L21/265;H01L21/266;H01L21/316;H01L21/311;H01L29/06
申请日期：
2021-04-28
申请人：
杰华特微电子股份有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件
申请号	CN202110469366.3	申请日期	2021-04-28
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-06	公开/公告号	CN113223945A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/265 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/26 用波或粒子辐射轰击的〔2〕 H01L21/263 带有高能辐射的（H01L 21/261优先）〔2，6〕 H01L21/265 产生离子注入的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;1;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人	杰华特微电子股份有限公司	申请人地址	浙江省杭州市西湖区三墩镇振华路298号西港发展中心西4幢9楼901-23室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	杰华特微电子股份有限公司	当前权利人	杰华特微电子股份有限公司
发明人	韩广涛
代理机构	北京成创同维知识产权代理有限公司	代理人	刘静;李秀霞

摘要

本发明公开一种横向变掺杂结构的制造方法及横向功率半导体器件，该横向变掺杂结构的制造方法包括：在衬底上形成衬垫氧化层；对衬垫氧化层下方的衬底进行局部热氧化以生成包括鸟嘴区的场氧化层，其中，鸟嘴区的氧化层厚度横向渐变；在鸟嘴区上方向鸟嘴区下方的衬底注入掺杂离子。本发明能够使得小尺寸横向功率半导体器件具有较好的横向变掺杂效果。

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