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*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

相变存储器底部电极的制作方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201010509346.6
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2010-10-14
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称相变存储器底部电极的制作方法
申请号CN201010509346.6申请日期2010-10-14
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2012-05-09公开/公告号CN102447058A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人张翼英;何其旸
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
本发明提供了一种相变存储器底部电极的制作方法,基本步骤包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底上形成有第一介电层,所述第一介电层中形成有导电插塞;去除部分导电插塞,形成第一凹槽;至少在所述第一凹槽的内壁形成第一掩模层,构成第二凹槽;在所述第二凹槽内形成第二掩模层;以第二掩模层为掩模依次刻蚀第一掩模层以及部分导电插塞形成插塞尖端;去除所述第一掩模层以及第二掩模层。与现有技术相比,本发明所述底部电极与相变层的接触面积大幅缩小,在提高加热效果的同时有效降低器件功耗;所述底部电极与半导体衬底接触的一端仍可具备较大的接触面积,避免了制作过程中底部电极从半导体衬底的表面脱落的现象出现。

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