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一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202111006746.X
  • IPC分类号:H01L45/00
  • 申请日期:
    2021-08-30
  • 申请人:
    苏州科技大学
著录项信息
专利名称一种黑磷-二维电子气异质结忆阻器及其制备方法
申请号CN202111006746.X申请日期2021-08-30
法律状态公开申报国家暂无
公开/公告日2021-11-30公开/公告号CN113725358A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L45/00IPC分类号H;0;1;L;4;5;/;0;0查看分类表>
申请人苏州科技大学申请人地址
江苏省苏州市高新区学府路99号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州科技大学当前权利人苏州科技大学
发明人姜昱丞;马兴龙;高炬
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙)代理人苏张林
摘要
本发明公开了一种黑磷‑二维电子气异质结忆阻器及其制备方法,该忆阻器从下至上依次为钛酸锶衬底、二维异质结、金属电极、保护层及导线,其制备方法主要包括以下步骤:机械剥离减薄黑磷、光刻、磁控溅射金电极、光刻、离子束轰击制备二维电子气、涂覆保护层、焊接导线,得到由黑磷作为P端、二维电子气作为N端的异质结忆阻器。由黑磷与钛酸锶衬底表面的二维电子气构成的二维异质结在其界面处具有铁电性,使其内电势可被外界施加的激发电压所调控,由该异质结构筑的忆阻器可通过控制外加电压调节电阻,且其电阻表现出非易失性的变化,在106秒内保持稳定,结构简单、性能优越使该忆阻器在模拟神经网络和存储器方面具有极大的应用潜能。

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