一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010002184.0
IPC分类号：C23C14/34;B22F3/093;B22F3/15
申请日期：
2020-01-02
申请人：
宁波江丰电子材料股份有限公司

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专利名称	一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法
申请号	CN202010002184.0	申请日期	2020-01-02
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-04-24	公开/公告号	CN111058004A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/34 溅射〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;B;2;2;F;3;/;0;9;3;;;B;2;2;F;3;/;1;5查看分类表>
申请人	宁波江丰电子材料股份有限公司	申请人地址	浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波江丰电子材料股份有限公司	当前权利人	宁波江丰电子材料股份有限公司
发明人	姚力军;潘杰;边逸军;王学泽;马国成
代理机构	北京远智汇知识产权代理有限公司	代理人	王岩

摘要

本发明涉及一种铬硅合金溅射靶材及其制备方法。所述制备方法包括：(1)将具有目标质量比例的铬硅合金粉末装入模具并封口，进行振实处理；(2)将步骤(1)振实后的模具进行脱气处理；(3)将步骤(2)脱气后的模具在1000‑1350℃下进行热等静压处理，得到铬硅合金溅射靶材粗品；(4)机加工后得到铬硅合金溅射靶材。所述制备方法不仅工艺简单，只需进行一次装模处理，降低产品被氧化的风险，保证产品纯度，还可以提高产品加工效率，便于大规模量产，而且具有能耗较低、成本较低的优点。由所述制备方法得到的铬硅合金溅射靶材具有致密度＞99％、含氧量＜0.05％的特点，为后续溅射使用提供更优良的性能保障。

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