相变随机存取存储器件及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210172656.2
IPC分类号：H01L45/00;H01L27/24
申请日期：
2012-05-30
申请人：
爱思开海力士有限公司

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著录项信息

专利名称	相变随机存取存储器件及其制造方法
申请号	CN201210172656.2	申请日期	2012-05-30
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2012-12-05	公开/公告号	CN102810633A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L45/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L45/00 无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；应用超导电性或高导性的器件入H01L 39/00；压电器件入H01L 41/00；体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;4;5;/;0;0;;;H;0;1;L;2;7;/;2;4查看分类表>
申请人	爱思开海力士有限公司	申请人地址	韩国京畿道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	爱思开海力士有限公司	当前权利人	爱思开海力士有限公司
发明人	沈揆赞
代理机构	北京弘权知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	俞波;郭放

摘要

本发明公开了一种制造相变随机存取存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在第一层间绝缘层的接触孔中形成开关器件；形成具有暴露出开关器件的开口的第二层间绝缘层；沿第二层间绝缘层的侧壁来形成与开关器件耦接的下电极图案；形成掩埋在下电极图案中的绝缘层；通过将下电极图案的暴露的表面去除设定的高度来形成下电极，其中，所述下电极的侧壁的高度低于所述第二层间绝缘层的高度；形成将去除了下电极图案的暴露的表面的第二层间绝缘层的孔填充的相变层；以及在第二层间绝缘层的一部分和相变层上形成上电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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