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变化的杂质分布区形成方法及半导体器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN200610087754.0
  • IPC分类号:H01L21/265;H01L21/331;H01L21/822
  • 申请日期:
    2006-05-30
  • 申请人:
    国际商业机器公司
著录项信息
专利名称变化的杂质分布区形成方法及半导体器件
申请号CN200610087754.0申请日期2006-05-30
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2006-12-06公开/公告号CN1873920
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/265IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;6;5;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;1;;;H;0;1;L;2;1;/;8;2;2查看分类表>
申请人国际商业机器公司申请人地址
开曼群岛大开曼岛 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人格芯公司当前权利人格芯公司
发明人路易斯·D.·兰泽洛蒂;杰伊·莱斯科;斯蒂芬·A.·圣昂格;戴维·C.·谢里登;布拉德利·A.·奥纳;道格拉斯·D.·库尔鲍
代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所代理人王永刚
摘要
公开了用散射的离子来形成集电极的变化的杂质分布同时形成子集电极的方法。在一个实施方案中,本发明包括:提供衬底;在衬底上形成包括第一尺度的第一开口的掩模层;以及基本上同时通过第一开口在衬底(子集电极)中第一深度处形成第一杂质区和在衬底中不同于第一深度的第二深度处形成第二杂质区。利用第一尺度的尺寸,亦即第一开口到器件有源区的距离,能够控制器件的击穿电压。利用单个掩模和单个注入,大量不同尺寸的开口可以被用来提供击穿电压不同的器件。还公开了一种半导体器件。

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