低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310714376.4
IPC分类号：G02F1/035
申请日期：
2013-12-20
申请人：
北京航天时代光电科技有限公司

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专利名称	低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法
申请号	CN201310714376.4	申请日期	2013-12-20
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-03-26	公开/公告号	CN103676219A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G02F1/035 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G02 光学 G02F 用于控制光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如转换、选通、调制或解调，上述器件或装置的光学操作是通过改变器件或装置的介质的光学性质来修改的；用于上述操作的技术或工艺；变频；非线性光学；光学逻辑元件；光学模拟/数字转换器〔2，4〕 G02F1/00 控制来自独立光源的光的强度、颜色、相位、偏振或方向的器件或装置，例如，转换、选通或调制；非线性光学〔2，4〕 G02F1/01 对强度、相位、偏振或颜色的控制（G02F 1/29、G02F 1/35优先）〔2，7〕 G02F1/03 基于陶瓷或电—光晶体的，例如，显示泡克耳斯（Pockels）或科尔（Kerr）效应的（G02F 1/061优先）〔2，4，7〕 G02F1/035 在光波导结构中的〔5〕	IPC分类号	G;0;2;F;1;/;0;3;5查看分类表>
申请人	北京航天时代光电科技有限公司	申请人地址	北京市海淀区丰滢东路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京航天时代光电科技有限公司	当前权利人	北京航天时代光电科技有限公司
发明人	郑国康;夏君磊;刘福民;黄韬;汪飞琴;关涛
代理机构	中国航天科技专利中心	代理人	范晓毅

摘要

本发明涉及低偏振相关损耗铌酸锂直条波导相位调制器及其制备方法，该调制器包括铌酸锂光波导芯片和分别耦合粘接在铌酸锂光波导芯片两端的第一保偏尾纤组件和第二保偏尾纤组件，铌酸锂光波导芯片包括铌酸锂衬底、钛扩散波导区、退火外扩散区和金属电极，铌酸锂衬底采用x切y传晶片，钛扩散区域和退火外扩散区位于铌酸锂衬底的表层，且退火外扩散区位于钛扩散区域的两侧，金属电极位于退火外扩散区的表面，且正负电极关于钛扩散区域对称；第一、二保偏尾纤组件均包括第一保偏光纤和第一光纤固定块，该调制器同时实现器件低插入损耗和低偏振相关损耗，实现两个偏振态的功率均分，有效消除调制波形失真的情况，提高电光调制精度。

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