凸块形成方法、半导体装置及其制造方法和半导体芯片

发明专利无效专利

申请号：
CN01141243.7
IPC分类号：--
申请日期：
2001-09-04
申请人：
精工爱普生株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	凸块形成方法、半导体装置及其制造方法和半导体芯片
申请号	CN01141243.7	申请日期	2001-09-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2002-07-17	公开/公告号	CN1359147
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	精工爱普生株式会社	申请人地址	日本东京都变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	精工爱普生株式会社	当前权利人	精工爱普生株式会社
发明人	松岛文明;太田勉;间箇部明
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	王勇;叶恺东

摘要

本发明涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序，把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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