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一种MOS晶体管的制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201110068717.6
  • IPC分类号:H01L21/336
  • 申请日期:
    2011-03-22
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种MOS晶体管的制造方法
申请号CN201110068717.6申请日期2011-03-22
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2012-09-26公开/公告号CN102693915A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人赵猛
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人屈蘅;李时云
摘要
本发明提供一种MOS晶体管的制造方法,一方面,通过锗掺杂硅外延层来增大电荷迁移率,抑制热载流子效应;另一方面,通过顶部略低的内侧墙,来抑制轻掺杂源/漏区(LDD)离子注入后的径向扩散,控制轻掺杂源/漏(LDD)延伸区的深度,以使超浅结更浅,获得了更长的有效沟道,有效抑制HCI效应,显著改善SCE及RSCE效应,降低器件尺寸减小所带来的击穿效应以及由其引起的结漏电,使得在超浅结工艺中制造更浅的源/漏区结深成为可能。

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