发光二极管芯片封装结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010187541.5
IPC分类号：H01L33/50;H01L25/075
申请日期：
2020-03-17
申请人：
台湾爱司帝科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	发光二极管芯片封装结构及其制作方法
申请号	CN202010187541.5	申请日期	2020-03-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-13	公开/公告号	CN113257981A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/50 波长转换元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;5;/;0;7;5查看分类表>
申请人	台湾爱司帝科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	台湾爱司帝科技股份有限公司	当前权利人	台湾爱司帝科技股份有限公司
发明人	廖建硕
代理机构	上海思微知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	田婷

摘要

本发明公开一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。发光二极管芯片封装结构的制作方法包括：提供光波长转换薄膜，其包括暂时性基层以及形成在暂时性基层上的光波长转换层；移除暂时性基层；让光波长转换层覆盖于多个发光二极管芯片上。发光二极管芯片封装结构包括多个发光二极管芯片以及一光波长转换层。光波长转换层覆盖于多个发光二极管芯片上。光波长转换层包括多个红色部分、多个绿色部分、多个透明部分以及围绕每一红色部分、每一绿色部分与每一透明部分的一黑色部分。每一红色部分由多个红色颗粒组成。每一绿色部分由多个绿色颗粒组成。借此，红色颗粒能直接接触相对应的发光二极管芯片，且绿色颗粒能直接接触相对应的发光二极管芯片。

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