一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻

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专利名称	一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻
申请号	CN201310346960.9	申请日期	2013-08-09
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2013-11-13	公开/公告号	CN103390475A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C10/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C10/00 可调电阻器〔2〕 H01C10/50 与开关装置结构上相结合的（H01C 10/36优先）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;1;0;/;5;0查看分类表>
申请人	北京理工大学	申请人地址	北京市海淀区中关村南大街5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京理工大学	当前权利人	北京理工大学
发明人	娄文忠;丁旭冉;赵越;刘鹏;王辅辅
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明公开了一种基于MEMS工艺的多档位高速实时可变电阻，该电阻包括硅基底、可变电阻层、绝缘层和控制开关组层，通过接通控制开关组层中不同的控制电极来接通或断开可变电阻层中的导线，实现其阻值由大减小或由小增大的变化。本发明涉及半导体器件领域，解决了高动态环境下电阻实现实时可变的问题。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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