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一种SiC涂层石墨基座

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201621268056.6
IPC分类号：C30B25/12;C23C16/458
申请日期：
2016-11-23
申请人：
上海东洋炭素有限公司

基础信息

权利要求

说明书

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种SiC涂层石墨基座
申请号	CN201621268056.6	申请日期	2016-11-23
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B25/12 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B25/00 反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长〔3〕 C30B25/02 外延层生长〔3〕 C30B25/12 衬底夹持器或基座〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;5;/;1;2;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8查看分类表>
申请人	上海东洋炭素有限公司	申请人地址	上海市松江区新飞路486号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海东洋炭素有限公司	当前权利人	上海东洋炭素有限公司
发明人	李西维;詹国彬
代理机构	北京创遇知识产权代理有限公司	代理人	李芙蓉;冯建基

摘要

本实用新型提出一种用于蓝、绿光外延片生长的SiC涂层石墨基座，包括基座体和所述基座体上的多个口袋，通过对石墨基座不同位置处的口袋设置不同的深度，且对于口袋底部形状进行额外设置，从而实现基座上衬底的温度一致性，把中心片利用起来，提高整炉外延片的良率，提高产能，降低成本。

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