硅微麦克风的振膜晶片及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510099338.8
IPC分类号：H04R31/00;H04R19/01
申请日期：
2005-09-14
申请人：
佳乐电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	硅微麦克风的振膜晶片及其制造方法
申请号	CN200510099338.8	申请日期	2005-09-14
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-03-21	公开/公告号	CN1933682
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H04R31/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H04 电通信技术 H04R 扬声器、传声器、唱机拾音器或其他声—机电传感器；助听器；扩音系统（产生的声音和频率与电流频率无关的入G10K）〔6〕 H04R31/00 专用于制造传感器或其所用振膜的设备或方法	IPC分类号	H;0;4;R;3;1;/;0;0;;;H;0;4;R;1;9;/;0;1查看分类表>
申请人	佳乐电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	佳乐电子股份有限公司	当前权利人	佳乐电子股份有限公司
发明人	蔡圳益;赖崇琪;陈季良;张昭智;洪瑞华
代理机构	上海旭诚知识产权代理有限公司	代理人	丁惠敏

摘要

本发明是制造背驻极电容式硅微麦克风中感应声能变化的振膜晶片的方法及其产品，首先在基板上以可溶于预定蚀刻液的被溶蚀材料定义出脱离层，再分别依序向上定义出分隔块层及振膜层，接着在振膜层上以导体材料蒸镀出作为晶种的种晶膜，再以高分子材料定义出对应地遮覆振膜层的感应形变区域部分并使种晶膜对应环壁区域部分裸露的牺牲层，然后自环壁区域向上电镀增厚而形成环围牺牲层的撑固层而形成环壁，蚀刻掉牺牲层即制得振膜晶片，最后再以蚀刻液溶蚀脱离层，即可以无切割的制程取得振膜晶片，从而提升整体振膜晶片制造的成品率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供