半导体封装结构及其制作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610397594.3
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/367
申请日期：
2016-06-07
申请人：
南茂科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体封装结构及其制作方法
申请号	CN201610397594.3	申请日期	2016-06-07
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-09-15	公开/公告号	CN107170715A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7查看分类表>
申请人	南茂科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	南茂科技股份有限公司	当前权利人	南茂科技股份有限公司
发明人	陈宪章
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	马雯雯;臧建明

摘要

本发明提供一种半导体封装结构及其制作方法。半导体封装结构，包括金属片、介电层、图案化线路层、第一芯片以及封装胶体。介电层包覆金属片。介电层具有相对的第一表面与第二表面、位于第一表面上的至少一第一开口以及位于第二表面上的第二开口。金属片位于第二开口内，且分别暴露于第一表面与第二表面。图案化线路层配置于第二表面上。第一芯片配置于金属片上，其中第一芯片位于第二开口内，且电性连接于图案化线路层。封装胶体配置于第二表面上，且覆盖第一芯片与图案化线路层。另提出一种半导体封装结构的制作方法。本发明提供的半导体封装结构整体厚度较薄且具有良好的散热效果。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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