一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器

实用新型专利有效专利

申请号：
CN202021248880.1
IPC分类号：C23C16/511;C23C16/27;C23C16/458;C30B29/04;C30B25/00
申请日期：
2020-06-30
申请人：
四川三三零半导体有限公司

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专利名称	一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器
申请号	CN202021248880.1	申请日期	2020-06-30
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/511 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/44 以镀覆方法为特征的（C23C 16/04优先）〔4〕 C23C16/50 借助放电的〔4〕 C23C16/511 采用微波放电〔7〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;5;1;1;;;C;2;3;C;1;6;/;2;7;;;C;2;3;C;1;6;/;4;5;8;;;C;3;0;B;2;9;/;0;4;;;C;3;0;B;2;5;/;0;0查看分类表>
申请人	四川三三零半导体有限公司	申请人地址	四川省成都市中国(四川)自由贸易试验区成都高新区益州大道中段599号13栋1618号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	四川三三零半导体有限公司	当前权利人	四川三三零半导体有限公司
发明人	袁博;刘虎;陈实
代理机构	成都弘毅天承知识产权代理有限公司	代理人	陈仕超

摘要

本实用新型涉及微波等离子体反应器技术领域，具体是一种适用于MPCVD的TM022模式微波等离子体反应器，用于解决现有技术反应器中在钼托盘上不能产生扁平等离子体，从而降低了金刚石晶体或镀膜生长效率的问题。本实用新型包括反应腔体和同轴馈入，所述反应腔体内安装有钼托盘，所述石英密封窗的顶面安装有水冷台，所述钼托盘安装在水冷台的顶面，所述水冷台内开有与同轴馈入连通的通道，所述水冷台的顶面还开有与通道连通且位于钼托盘底面的凹坑，所述钼托盘的边缘还开有与凹坑连通的通孔。本实用新型在微波高强场和温度场的共同作用下，在反应器中得到一个扁平分布的高折合电场区域，进而得到扁平的等离子体，提高金刚石晶体的生长效率。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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